Сетевые (grid-tie) электростанции

Лучше наверное всё же нагрузку в сток включить.

 

разницы не будет
1-ственное, что изменит фэйл- установка p-channel FET и открытие его нулём через доп. конвертер (gate driver или усилитель на транзисторе)

 

Ладно, уговорили, а что всё же с открытием 5в от ардуины, я так понимаю по кривой без gate driver я открою его, но не совсем?

 

исходя из даташита:
1. в статике (см.рисунок про SOA) не реком. исп. эти транзисторы при токе более 70А- уже косяк (я про токовую нагрузку на выводы корпусов ТО-220 или ТО-263 говорить не буду...)
2. при Ugate ниже +7В FET работает в режиме стабилизатора тока- см. рисунок Output characteristics
3. нормирование rDSon u Id идёт при Ugs=10V, лимит Ugsmax=±20V
Итого:
а). ставить FETы параллельно, рассчитывая из тока 30-50А на рыло
б). искать или что-то типа оптоэлектронного gate driver (модельки не помню- у @user343 спросите)
или
б1). ставить доп. источник питания на Uбатт+10В
или
б2). всё ж перейти на p-channel FET (хоть там меньше выбор, выше цены и хуже хар-ки)

 

О как, спасибки.
1. А я и не хотел в статике, я же написал в PWM
б2 - а для чего всё же переходить на P канальный? Он при 5 откроется?

 

Он при НУЛЕ откроется- в этом и фишка р-СНАИЕГГ

 

Может я что-то не понимаю , но в P канальном не получатся те же грабли с 10в, только в профиль, ибо надо будет изначально притянуть gate к +10в, чтобы он был закрыт и дать ему 0, чтобы открылся?

 

Диапазоны импульсов длиннее приведённых на том рисунке 100мс и есть статика.
К тому же Вы должны учесть- что rDSon сильно влияет на область рабочей ВАХ- при Uds менее 1В именно оно ограничивает токи- при Uds=0.2V имеем ток нагрузки всего 10А!

 

D

Вся проблема в том, что с СБ я получаю не 20, а 36в, что намного выше предела гейта.

 

В полевых транзисторах потенциал считается от истока.
Отличие на затворе на примерно 10В открывает транзистор. Для n-канальника это будет +10В относительно истока, для р-канальника- минус 10В относительно того же.
Но у Вас в схеме исток подключен к нагрузке (батарея, грид-тай)- на ней порядка +24В. Поэтому р-канальник откроется, если подать +24В-10В=+14В и ниже (ограничение д. б. на 20В- стабилитрон ставят), n-канальник откроется, если на затвор подать +24В+10В=+34В и выше! Или гальванически развязанный opto-gate driver юзать.
Видите разницу?
p-channel <+14V
n-channel >+34V
Соответственно без извращений в положительной полюс коммутатора можно включать только p-FET.
То же относится к коммутации "земли"- минусового провода нагрузки- там n-FET родные, а к p-FET надо костыль мастырить...

 

Он нужен только при сварочных токах или в мостовых инверторах (HCPL3120, ADuM7324 и т. д.).
Схемы для не сильно мощного "солнца" были в более подходящих ветках:
https://www.forumhouse.ru/threads/239659/page-14#post-8619363
https://www.forumhouse.ru/threads/261987/

Тут с драйвером IR2104, но без гальв. развязки, которой обычно является сама солнечная батарея:
http://www.freechargecontroller.org/#Version_4.04

 

Коллега @Daemon писал страшные вещи про 90А:
https://www.forumhouse.ru/threads/109891/page-173#post-12080520

 

Коллеги, тема о сетевых станциях а не о утилизации излишков в свете тонкостей работы полупроводников

 

...или где 8-выводный DIP ценой в пару-десятку € решает легко проблему.
Вынудили. Всё таки нашёл на Фарнелле
https://www.farnell.com/datasheets/65326.pd f
PVI1050N
PVI5050N
PVI5080N

 

По-хорошему, во всей слаботочке, что работает от солнечных панелей, надо ставить защиту от перенапряжения хотя бы из резистора и стабилитрона.