Самодельный ИБП

Это только изменит частоту генерации, немного. Генерация при параллельном включении не обязательна, но может быть. При ВЧ трансформаторе и хорошей разводке ее скорее всего не будет. При НЧ трансформаторе и разводке "как получится" скорее всего будет. НЧ тр-р изначально предполагает большую паразитную индуктивность и достаточно низкую частоту резонанса паразитных контуров.

 

А чем бороть паразитную генерацию? только правильной разводкой?
У меня на макетке могучий полевик генерит, конденсатор 2n2 на стоке ситуацию не сильно улучшает...

 

@Elprog, свою схему покажите. И монтаж опишите, а лучше фото с 2х сторон. Речь шла про затворы пока. Конденсаторы без резисторов между истоком и стоком полевиков никто не вешает.

Нет. Это разработчики мат. плат привыкли работать с гигагерцами и смогли бы засечь <500МГц возбуждение своими 1Гс/с приборами даже в 2000-м году.
Число взято произвольно, как показатель высоких достижений осциллоскопостроения, я историю их цен и полосы пропускания не помню.

 

Так может повесить на 50 герцовую IR2110 сотню микрофарад?

 

Схема проста: Irf2807 управляется с драйвера. Сигнал идет с генератора. В затворе стоит 28 ом. Монтаж хреновый, проводочками на монтажке. Но старался короткими проводками от кондеров к активным элементам. Звенит все не знамо как...
P. S. Вроде победил, спасибо...

 

Как победили поделитесь?

 

Питание подводил не в ту точку платы. Надо было прямо на вывод блокирующего конденсатора.
Сделал правильно и все стало прилично выглядеть.

 

Самая распространенная проблема. Точнее, самая распространенная - это топология "земли", но и неудачная разводка питания может влиять негативно.

 

Возник ещё один вопрос по плате EGP1000W с использованием БЖТ.
И так, имеем две группы транзисторов: четыре транзистора переключаются на частоте 23 кГц и четыре на частоте 50 Гц.
Вопрос а как распределяется общий ток в нагрузке по этим группам транзисторов.
Подозреваю, что частота 23 кГц является сильно большим сопротивлением для БЖТ. Разница ровно в 460 раз, если сравнивать с частотой 50 Гц.
Следует ли из этого факта, что группу транзисторов, работающую на частоте 23 кГц целесообразно выбирать таким образом, чтобы их входная емкость, сопротивление в открытом состоянии, максимальный ток сток-исток так же 460 раз отличались от аналогичных параметров 50 герцовой группы?

 

Жечь ключи под наблюдением осцилла мне неохота, гуглил "IR2110 bootstrap capacitor selection"
3 "design notes" прочёл, не въехал, много неизвестных в формулах.

Кто-то подобный вопрос для полевиков поднимал лет 5 назад на форумах, ему насчитали
0,3 мкФ для 25 кГц
1мкФ для 50Гц (керамика без утечек)

В других схемах предлагают для 50-5000Гц IGBT ставить 47-100 мкФ.
Величина 1000 мкФ кажется была для биполярных тр-ров и самодельного дискретного драйвера полумоста.

Ещё встретил предупреждения, что эти кондёры могут заряжаться долгое время при излишнем запасе ёмкости.

И подумал, что у наших плат на выходе "расколбас" с постоянной составляющей может приключаться при сильно разных скоростях зарядки кондёров НЧ и ВЧ плеч. Так что лучше не менять без нужды.

 

Нет.

 

@wcreader, тогда вопрос остается как всё-таки прикинуть распределение суммарного тока в нагрузке по группам транзисторов?

 

@FrendFazer, ток нагрузки-то одинаковый, статические потери будут примерно по закону Джоуля-Ленца P= I*I*R_ds_on.
А динамические потери у 23 кГц плеча выше. Греют ключи "хвосты" и предвестники номинального тока, десятки наносекунд активного режима.
Ориентировочно на первые 4 транзистора (из 8-ми) нужны радиаторы в 2-3 раза шире, чем на последние.
Если первые на 5,1 мОм (с относительно лёгкими затворами), а вторые на 2,3 мОм (но 2*13нФ).

Можно просто включить с нагрузкой, с раздельными мелкими радиаторами, затем потрогать пальцами или термометром.
Или на форуме самопровозглашённого наполео "Эталона+" поискать (реалстранник.ком). Но там мало слов и схем, много корявых видео. Их смотреть - долгое занятие, на любителя.

 

С какой целью ?

 

Выбор транзисторов.